RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
50
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3488
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link