RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3488
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link