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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
総合得点
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
37
読み出し速度、GB/s
12.6
14.4
書き込み速度、GB/秒
8.2
11.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1822
2712
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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