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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 40
    周辺 30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 10.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 6.4
    テスト平均値
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 6.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1822 left arrow 1668

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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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