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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 94
    周辺 56% 低遅延
V-GEN D4H4GS24A8 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 94
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1484 left arrow 1506

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAMの比較

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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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メモリRAM
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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