RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
94
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
94
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
1506
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link