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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 42
    周辺 -91% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2535 left arrow 2340

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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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