RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 42
    周辺 -27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2535 left arrow 3131

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAMの比較

SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
メモリRAM