RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 44
    周辺 -110% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1977 left arrow 3034

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAMの比較

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
メモリRAM