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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
総合得点
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
44
周辺 -47% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.6
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.8
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
30
読み出し速度、GB/s
12.3
12.6
書き込み速度、GB/秒
7.8
8.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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