RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
star star star star star
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
バグを報告する
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB 考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 44
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1977 left arrow 2910

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAMの比較

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
メモリRAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
メモリRAM