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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
65
186
周辺 65% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
2.0
1,711.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
186
読み出し速度、GB/s
4,018.7
3.9
書き込み速度、GB/秒
1,711.1
2.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
513
536
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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