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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

総合得点
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 31
    周辺 10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 5.3
    テスト平均値
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB 考慮すべき理由
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 5.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 1740

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