Comparaison de la RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Note globale

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 31

Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.9 10.4

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.0 5.3

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 12800

Autour de 1.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2112 1740

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns