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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.9
10.4
写入速度,GB/s
9.0
5.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
1740
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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