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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

総合得点
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Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.1
    テスト平均値
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 65
    周辺 -160% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 1,711.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,018.7 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,711.1 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    513 left arrow 2489

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Crucial Technology BLT4G3D1608DT1TX0. 4GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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