RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 19.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,978.2 left arrow 16.9
    テスト平均値
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 66
    周辺 -154% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 16.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 3706

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAMの比較

OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB RAMの比較

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
メモリRAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
メモリRAM