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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Panram International Corporation M424016 4GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
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Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 12.6
    テスト平均値
Panram International Corporation M424016 4GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation M424016 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 66
    周辺 -113% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.9 left arrow 2,978.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 12.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 9.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 2035

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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 9905663-021.A00G 16GB
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メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston K821PJ-MID 16GB
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メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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