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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Panram International Corporation M424016 4GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

总分
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Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
Panram International Corporation M424016 4GB 需要考虑的原因
Panram International Corporation M424016 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 66
    左右 -113% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 2,978.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    2,929.1 left arrow 12.6
  • 写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    511 left arrow 2035

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较

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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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内存RAM
Mushkin 991586 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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