RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 18.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,978.2 left arrow 13.8
    テスト平均値
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 66
    周辺 -100% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    2,929.1 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,978.2 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    511 left arrow 3341

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAMの比較

OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
メモリRAM