RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
66
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
33
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
3341
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link