RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,076.1 left arrow 14.1
    テスト平均値
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 59
    周辺 -103% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 3353

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
メモリRAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
メモリRAM