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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,723.5
18.2
写入速度,GB/s
2,076.1
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3353
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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