RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,076.1 left arrow 10.6
    テスト平均値
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 59
    周辺 -90% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 2659

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
メモリRAM