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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,723.5
15.3
写入速度,GB/s
2,076.1
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2659
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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