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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.9
20.6
写入速度,GB/s
8.7
14.7
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3367
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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