Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

总分
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

总分
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    31 left arrow 56
    左右 -81% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.9 left arrow 1,813.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    56 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    4,387.7 left arrow 15.5
  • 写入速度,GB/s
    1,813.5 left arrow 9.9
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    693 left arrow 2060
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RAM 1
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