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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,387.7
15.5
写入速度,GB/s
1,813.5
9.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2060
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
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