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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,387.7
15.5
写入速度,GB/s
1,813.5
9.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2060
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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