RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
56
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2060
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link