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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,076.1 left arrow 11.8
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 59
    周辺 -97% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    4,723.5 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,076.1 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    741 left arrow 3119

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Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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