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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,723.5
17.7
写入速度,GB/s
2,076.1
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3119
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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