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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

総合得点
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,381.6 left arrow 10.8
    テスト平均値
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 60
    周辺 -94% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    5,082.2 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,381.6 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    925 left arrow 2816

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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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