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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
5,082.2
16.0
写入速度,GB/s
2,381.6
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
2816
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
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