SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

総合得点

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

総合得点

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

相違点仕様コメント

相違点

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

考慮すべき理由
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

8,883.4 13.7

テスト平均値

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

35 44

周辺 -26% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.8 14

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 5300

周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

44 35
読み出し速度、GB/s

14,740.4 16.8
書き込み速度、GB/秒

8,883.4 13.7
メモリ帯域幅、mbps

5300 19200

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2811 3306

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

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Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

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