RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3306
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link