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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,303.7
10.6
テスト平均値
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
117
周辺 -290% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
117
30
読み出し速度、GB/s
3,094.8
16.0
書き込み速度、GB/秒
2,303.7
10.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
784
3026
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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