Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 44
    周辺 -57% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.0 left arrow 11.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2069 left arrow 1793
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較