Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против AMD R538G1601S2LS 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13 left arrow 11.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 44
    Около -57% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.0 left arrow 11.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2069 left arrow 1793
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения