Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13 left arrow 11.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 44
    Wokół strony -57% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    44 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.0 left arrow 11.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 8.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2069 left arrow 1793
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania