RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
バグを報告する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 63
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 1,583.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,895.6 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,583.7 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    639 left arrow 2090

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAMの比較

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
メモリRAM