RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
63
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
2090
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link