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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

総合得点
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB 考慮すべき理由
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    3,071.4 left arrow 11.8
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 70
    周辺 -192% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    70 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    4,372.7 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    3,071.4 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 2900

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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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