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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 28
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2372

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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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