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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
9.4
14.1
写入速度,GB/s
5.5
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2372
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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