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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Inmos + 256MB
総合得点
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
総合得点
Inmos + 256MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
11.5
9.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
5.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
16800
12800
周辺 1.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
30
読み出し速度、GB/s
9.4
11.5
書き込み速度、GB/秒
5.5
9.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
16800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1453
2318
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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