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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Inmos + 256MB

总分
star star star star star
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 30
    左右 7% 更低的延时
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    16800 left arrow 12800
    左右 1.31 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 11.5
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 2318

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较

Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB

Inmos + 256MB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Inmos + 256MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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内存RAM
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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内存RAM
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