Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Inmos + 256MB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 30
    左右 7% 更低的延时
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度,GB/s
    11.5 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    16800 left arrow 12800
    左右 1.31 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    9.4 left arrow 11.5
  • 写入速度,GB/s
    5.5 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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