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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 28
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3147

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Kingston KHX2400C14/16G 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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