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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 28
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.8 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.7 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 16.8
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 11.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 3147

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较

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Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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AMD R748G2133U2S 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
内存RAM
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