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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
10.4
20.3
写入速度,GB/s
7.8
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
4122
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Inmos + 256MB
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