RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
104
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
37
读取速度,GB/s
3,192.0
14.6
写入速度,GB/s
2,404.5
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2780
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link