RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
104
Autour de -181% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2780
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link